发明名称 一种含有Fe的纳米薄膜材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种含有Fe的纳米薄膜材料,包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜;所述纳米薄膜的化学式FexCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示,其中0<x<0.05,0.1<y<0.3,0.1<z<0.3,且1:1<z:y<2:1,所述纳米薄膜镀在绝缘基底表面的厚度为5-50nm。本发明提供的含有Fe的纳米薄膜材料大大提高了获得量子化反常霍尔效应的温度,其温度可以高达50K,同时,对材料厚度的要求也大大放宽,最厚可以达到50nm,从而更容易应用于工业化生产。
申请公布号 CN103647023A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201310610481.3 申请日期 2013.11.27
申请人 江苏科技大学 发明人 杨卫国
分类号 H01L49/02(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I 主分类号 H01L49/02(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 李晓静
主权项 一种含有Fe的纳米薄膜材料,其特征在于:包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜;所述纳米薄膜的化学式由 FexCry(BizSb1‑z)2‑x‑ySe3表示,其中0<x<0.05,0.1<y<0.3,0.1<z<0.3,且1:1<z:y<2:1,所述纳米薄膜镀在绝缘基底表面的厚度为5‑50nm。
地址 212003 江苏省镇江市梦溪路2号