发明名称 |
用于沟槽与介层洞轮廓修饰的方法与设备 |
摘要 |
本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说,本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中,蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。 |
申请公布号 |
CN102224573B |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN200980147109.5 |
申请日期 |
2009.11.19 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
张梅;高建德;吕新亮;葛振宾 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种处理基板的方法,所述方法包括:于所述基板上形成沟槽结构,其中所述沟槽结构的侧壁包括第一材料;拓宽所述沟槽结构的顶部开口,其中所述拓宽顶部开口的步骤包括:通过让所述基板接触蚀刻剂而形成牺牲层来夹封所述沟槽结构的顶部开口,其中所述牺牲层包括所述蚀刻剂与所述第一材料间的反应的副产物;通过持续让所述基板接触所述蚀刻剂而让所述蚀刻剂与所述第一材料进一步反应;及自所述基板移除所述牺牲层;及沉积第二材料以填充所述沟槽结构。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |