一种高紫外透过率电子封装材料及其制备方法

摘要

本发明公开一种高紫外透过率电子封装材料及其制备方法。这种封装材料由含巯基的倍半硅氧烷化合物与带不饱和双键的小分子单体之间的共聚交联反应制得，含巯基的倍半硅氧烷化合物含量10%-60%，带不饱和双键的小分子单体含量10%-60%，制得的电子封装材料在紫外光及可见光范围内具有高的透过率，能够显著提高LED发光效率，可作为LED封装材料使用。

主权项

一种高紫外透过率电子封装材料，其特征在于，所述电子封装材料是由含巯基的倍半硅氧烷化合物与带不饱和双键的小分子单体，交联剂，引发剂混合形成的聚合体；所述含巯基的倍半硅氧烷化合物化学式为：（SiO1.5R1）m·（SiO1.5R2）n，其中R1为γ‑巯丙基，R2为γ‑氨丙基、三氟丙基、γ‑缩水甘油醚氧丙基、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基中的任意一种，m、n分别是1‑8的整数；含巯基的倍半硅氧烷化合物含量是总的单体混合物重量的10%‑60%；所述带不饱和双键的小分子单体为甲基丙烯酸缩水甘油酯，甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸乙酯，甲基丙烯酸丙酯，甲基丙烯酸丁酯，丙烯酸缩水甘油酯，丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯，丙烯酸丙酯，丙烯酸丁酯中的任意一种；带不饱和双键的小分子单体含量是总的单体混合物重量的10%‑60%；所述交联剂为甲基丙烯酸烯丙酯，二或三（甲基）丙烯酸多元醇酯；交联剂含量是总的单体混合物重量的10%‑30%；所述引发剂为2‑羟基‑2‑甲基‑1‑苯基丙酮、二苯甲酮、偶氮二异丁腈中的一种，引发剂含量是总的单体混合物重量的0.01%‑1%。