| 发明名称 | 在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。该方法还适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103646865A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310723739.0 | 申请日期 | 2013.12.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘洪刚;韩乐;王盛凯;孙兵;常虎东;赵威 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，包括：步骤1：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；步骤2：将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；步骤3：将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；步骤4：利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||