| 发明名称 | GaN基LED外延片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种GaN基LED外延片，包括：衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层：N型GaN层；位于所述N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，所述第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D1，第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D2，D1<D2。本实用新型的GaN基LED外延片具有蓝移值小、发光稳定性高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN203491288U | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201320598427.7 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 惠州比亚迪实业有限公司 | 发明人 | 肖怀曙;谢春林 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层：N型GaN层；位于所述N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，所述第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D1，第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D2，D1<D2。 | ||
| 地址 | 516083 广东省惠州市大亚湾响水河 | ||