非易失性存储装置和对非易失性存储装置的写入方法

摘要

本发明提供一种提高了写入动作的稳定性和可靠性的非易失性存储装置。该非易失性存储装置具备电阻变化型元件(106)和向电阻变化型元件(106)写入信息的写入电路(101)，电阻变化型元件(106)具有以下特性，即：在施加第1电压(Vh或Vl)的脉冲后，从第1电阻状态(LR状态或HR状态)向第2电阻状态(HR状态或LR状态)变化，在施加极性与第1电压不同的第2电压(Vl或Vh)的脉冲后，从第2电阻状态向第1电阻状态变化。写入电路(101)在使电阻变化型元件(106)从第1电阻状态向第2电阻状态变化时，对于电阻变化型元件(106)，至少将第1电压(Vh或Vl)的脉冲、电压的绝对值比第2电压小且极性与第2电压相等的第3电压(VlLow或VhLow)的脉冲、以及第1电压(Vh或Vl)的脉冲以该顺序来进行施加。

主权项

一种非易失性存储装置，具备：电阻变化型元件，该电阻变化型元件具有第1电极、第2电极和配置在所述第1电极和所述第2电极间的电阻变化层；以及写入电路，向所述电阻变化型元件写入信息；所述电阻变化型元件具有以下特性，即：若施加第1电压的脉冲，则从用于第1信息的存储的第1电阻状态向用于第2信息的存储的第2电阻状态变化，若施加极性与所述第1电压不同的第2电压的脉冲，则从所述第2电阻状态向所述第1电阻状态变化；该非易失性存储装置的特征在于：所述写入电路，在使所述电阻变化型元件从所述第1电阻状态向所述第2电阻状态变化时，对于所述电阻变化型元件，至少将所述第1电压的脉冲、电压的绝对值比所述第2电压小且极性与所述第2电压相等的第3电压的脉冲、以及所述第1电压的脉冲按所提及的顺序进行施加。