一种用于形成半导体器件结构的方法

摘要

本发明提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括提供具有第一区域和第二区域的衬底，第一区域上具有第一栅介电层和第一栅极，第二区域上具有第二栅介电层和第二栅极，在第一区域上形成第一间隙壁绝缘层，在第二区域上形成第二间隙壁绝缘层；在第一间隙壁绝缘层的侧壁上形成第一侧壁间隔层，在第一栅极两侧的衬底中形成第一轻掺杂源/漏区，并进行第一退火工艺，然后去除第一侧壁间隔层，并在第二栅极两侧的衬底中形成第二轻掺杂源/漏区，并进行第二退火工艺；在第一栅极两侧的衬底中和第二栅极两侧的衬底中分别形成第一源/漏极和第二源/漏极。本发明能够在同一芯片上提供满足高功耗核心器件和低功耗核心器件的制作要求的工艺条件。

主权项

一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：（a）提供具有第一区域和第二区域的衬底，所述第一区域上具有第一栅介电层和位于所述第一栅介电层之上的第一栅极，所述第二区域上具有第二栅介电层和位于所述第二栅介电层之上的第二栅极，所述第一栅介电层的上表面中未被所述第一栅极覆盖的部分、所述第一栅极的上表面和所述第一栅极的侧壁上具有第一间隙壁绝缘层，所述第二栅介电层的上表面中未被所述第二栅极覆盖的部分、所述第二栅极的上表面及所述第二栅极的侧壁上具有第二间隙壁绝缘层，其中，所述第一区域为在所述衬底上需形成低功耗核心器件的衬底区域，所述第二区域为在所述衬底上需形成高功耗核心器件的衬底区域；（b）分别在所述第一栅极两侧的衬底中和所述第二栅极两侧的衬底中形成第一轻掺杂源/漏区和第二轻掺杂源/漏区，由所述第一轻掺杂源/漏区之间的距离所定义的有效沟道长度大于由所述第二轻掺杂源/漏区之间的距离所定义的有效沟道长度；（c）在所述第一栅极两侧的衬底中和所述第二栅极两侧的衬底中分别形成第一源/漏极和第二源/漏极，以获得所述半导体器件结构。