| 摘要 |
Verfahren zum Polieren für ein Ausbilden von Strukturen mit metallischen Ersatz-Gates, aufweisend: einen ersten chemisch-mechanischen Polierschritt, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht zu planarisieren, um eine planarisierte Dicke über einer Gate-Struktur zurückzulassen; einen zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt, aufweisend ein Entfernen der planarisierten Dicke durch gleichmäßiges Polieren und dadurch Entfernen der obersten Schicht und Freilegen einer darunterliegenden bedeckten Oberfläche eines Dielektrikums der Gate-Struktur mit einem Poliermittel, sodass eine ebene Topografie erreicht wird; und ein dritter chemisch-mechanischer Polierschritt, um das Dielektrikum von der Gate-Struktur zu entfernen und einen Gate-Leiter freizulegen. |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;JSR CORPORATION |
发明人 |
ANDO, TAKASHI;CHARNS, LESLIE;CUMMINGS, JASON;HUPKA, JUKASZ J.;KOLI, DINESH R.;KONNO, TOMOHISA;KRISHNAN, MAHADEVAIYER;LOFARO, MICHAEL F.;NALASKOWSKI, JAKUB W.;NODA, MASAHIRO;PENIGALAPATI, DINESH K.;YAMANAKA, TATSUYA |
