| 摘要 |
Eine Hall-Effekt-Vorrichtung weist ein aktives Hall-Gebiet in einem Halbleitersubstrat und mindestens vier Anschlussstrukturen auf, wobei jede Anschlussstruktur ein schaltbares Versorgungskontaktelement und ein Messkontaktelement aufweist, wobei jedes Versorgungskontaktelement ein Transistorelement mit einem ersten Transistoranschluss, einem zweiten Transistoranschluss und einem Steueranschluss aufweist, wobei der zweite Transistoranschluss das aktive Hall-Gebiet kontaktiert oder sich in das aktive Hall-Gebiet erstreckt und wobei die Messkontaktelemente im aktiven Hall-Gebiet und benachbart zu den schaltbaren Versorgungskontaktelementen angeordnet sind. |
