Esquema de distribución con umbral multinivel flash

摘要

Un dispositivo de memoria que comprende: Un arreglo de memoria que tiene celdas de memoria (50) dispuestas en filas y columnas caracterizadas porque: cada celda de memoria (50) es borrable para tener un voltaje umbral de borrado negativo y es programable en unaoperación de programa que tiene al menos un voltaje umbral de programación negativo; un controlador de línea (110) para controlar selectivamente una línea (WLn) conectada a un terminal de puerta (60)de una celda de memoria con un voltaje de programación para cambiar el voltaje umbral de borrado negativo a almenos un voltaje umbral de programa negativo durante la operación del programa.