发明名称 |
Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren-Materialien |
摘要 |
Ein Bauteil mit einem Substrat, das wenigstens eine in dem Substrat vorgesehene Durchkontaktierung aufweist, bei dem das Substrat einen Graben mit einem im wesentlichen trapezförmigen Querschnitt hat, sich der Graben durch das Substrat zwischen einer untern Seite des Substrats und einer oberen Seite des Substrats erstreckt und sich das obere Ende des Grabens zu einer oberen Öffnung und das untere Ende des Grabens zu einer unteren Öffnung öffnet, wobei die obere Öffnung größer als die untere Öffnung ist. Das Bauteil kann eine Mündung aufweisen, die die obere Öffnung umschließt und sich zwischen der oberen Seite und der oberen Öffnung erstreckt, bei der eine Mundöffnung in der oberen Seite größer ist als die obere Öffnung des Grabens ist. Der Durchkontakt umfasst eine auf der inneren Fläche des Grabens vorgesehene dielektrische Schicht und eine in dem Graben vorgesehene Füllung, wobei die dielektrische Schicht zwischen der Füllung und dem Substrat eingeschlossen ist. |
申请公布号 |
DE102013014881(A1) |
申请公布日期 |
2014.03.13 |
申请号 |
DE20131014881 |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
MARX, DAVID LAMBE;BIRCUMSHAW, BRIAN;BRYZEK, JANUSZ |
分类号 |
H01L23/522;B81B1/00;B81C1/00;H01L21/60;H01L21/786 |
主分类号 |
H01L23/522 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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