| 发明名称 |
METHOD FOR DEPOSITING SILICON LAYERS |
| 摘要 |
<p>Eine Ausführungsform der Erfindung gibt ein Verfahren zur Abscheidung von Si-Schichten auf Substraten an, wobei aus mindestens einem Prekursor, welcher ausgewählt ist aus Halogensilanverbindungen der allgemeinen Summenformeln SinX2n und/oder SinX(2n+2), wobei X ein Halogen ist und n gleich drei oder größer ist, in einem chemischen Gasphasenprozess Siliciumschichten auf einem Substrat abgeschieden werden.</p> |
| 申请公布号 |
WO2014037212(A1) |
申请公布日期 |
2014.03.13 |
| 申请号 |
WO2013EP67150 |
申请日期 |
2013.08.16 |
| 申请人 |
SPAWNT PRIVATE S.A.R.L. |
发明人 |
AUNER, NORBERT;BAUCH, CHRISTIAN;DELTSCHEW, RUMEN;HOLL, SVEN;MOHSSENI, JAVAD |
| 分类号 |
C23C16/24 |
主分类号 |
C23C16/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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