| 发明名称 | 一种纳米线衬底结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷沟道纳米线环栅MOSFET提供基础，可应用于CMOS集成技术中，采用铟镓砷来替代硅作为沟道材料有利于提高NMOSFET的电学特性，而纳米线环栅场效应晶体管结构的栅控能力强，可以有效抑制MOSFET的短沟效应，提高器件电学特性。 | ||
| 申请公布号 | CN103633123A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201310670650.2 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孙兵;刘洪刚;赵威;王盛凯;常虎东 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种纳米线衬底结构，其特征在于，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底(1)；形成于单晶衬底(1)上的缓冲层(6)；形成于缓冲层(6)上的牺牲层(2b)；以及形成于牺牲层(2b)上的纳米线结构层(5)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||