高压金属氧化物半导体晶体管元件

摘要

发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，其包含有一基底、至少一设置于该基底上的绝缘结构、一设置于该基底上的栅极、以及一源极区域与一漏极区域，设置于该栅极两侧的该基底内。该绝缘结构内包含有一凹槽，而该栅极则包含一设置于该基底表面上的第一栅极部分，以及一设置于该凹槽内的第二栅极部分，且该第二栅极部分由该第一栅极部分向下延伸。

主权项

一种高压金属氧化物半导体(high voltage metal‑oxide‑semiconductor，HV MOS)晶体管元件，包含有：基底；至少一绝缘结构，设置于该基底上，且该绝缘结构内包含有一凹槽；栅极，设置于该基底上，该栅极还包含：第一栅极部分，设置于该基底表面上；以及第二栅极部分，该第二栅极部分由该第一栅极部分向下延伸，且设置于该凹槽内；以及源极区域与漏极区域，设置于该栅极两侧的该基底内。