一种带有场截止层的全自对准的绝缘栅双极晶体管器件

摘要

实用新型的涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种带有场截止层的全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区，所述第二导电类型深扩散区呈“凹”形，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区。本实用新型的双极晶体管器件采用绝缘侧壁是一种全自对准的技术，不需要光刻，因此能够将多晶硅的窗口的宽度减小到4um，甚至能到2um；这样就能实现更精细化的图形。引入场截止层，使得第一导电类型衬底的厚度减小，导通压降Vce（sat）随之减小；同时场截止层的引入可以进一步减小器件关断时候的能量损耗。

主权项

一种带有场截止层的全自对准的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底（110），第一导电类型衬底（110）的第一主面内设有第二导电类型基区（120），第二导电类型基区（120）内设有第二导电类型深扩散区（130），所述第二导电类型深扩散区（130）呈“凹”形，第二导电类型基区（120）内设有第一导电类型发射区（140），第一导电类型发射区（140）分别设置在第二导电类型深扩散区（130）“凹”型的两凸起部分上，每个第一导电类型发射区（140）的第一主面上设有栅极绝缘层（160），栅极绝缘层（160）上设有多晶硅栅层（170），多晶硅栅层（170）上设有第二绝缘层（180），多晶硅栅层（170）两侧设有绝缘侧壁（190）、第一导电类型衬底（110）的第二主面内设有第一导电类型场截止层（200），第一导电类型场截止层（200）上设有第二导电类型集电区（150），第一导电类型场截止区（200）的扩散深度为3~25um，宽度为整个第一导电类型衬底（110）的宽度，其浓度高于第一导电类型衬底（110）的浓度并低于第二导电类型发射区（150）的浓度。