发明名称 使用自动产生屏蔽与多重屏蔽层图案化单一集成电路层
摘要 一种多重屏蔽与一种多重屏蔽层技术可用以图案化集成电路层。可使用分辨率增强技术在第一屏蔽层中定义一或多个微细线路图案,接着移除部分微细线路特征,或使用屏蔽进行移除标定。此移除/标定可包括撷取所需布局(具有包括微细线路特征与粗略特征的至少一个布局特征),且仅于沿着这些布局特征的临界维度的方向扩展布局特征。接着可使用另一屏蔽于第二屏蔽层中定义粗略特征,第二屏蔽层是形成在图案化的第一屏蔽层上。粗略特征可从所需布局使用收缩/成长操作而得,该操作仅执行于与微细线路特征的临界维度正交的方向中。可使用由图案化的第一与第二屏蔽层的复合屏蔽来图案化集成电路层。
申请公布号 CN102160144B 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN200980000272.9 申请日期 2009.09.01
申请人 新诺普系统公司 发明人 淑杰·金·刘
分类号 G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人 栗若木;颜涛
主权项 一种用于转移电路设计布局至集成电路层的方法,该方法包括:使用分辨率增强技术RET以于第一屏蔽层中定义一或多个微细线路图案,其中该第一屏蔽层是形成在所述集成电路层上,其中各微细路线图案的每一个特征所具有的维度小于用于定义该微细线路图案的光波长,其中各微细线路图案的线距小于或等于该波长;移除或标定该微细线路图案的移除部分,以及保护在该第一屏蔽层中定义的该微细线路特征的所需特征,其中对移除部分的移除或标定包括撷取该集成电路层的所需布局,并仅于沿着该所需布局中临界维度的方向上扩展该所需布局的各布局特征;图案化该第一屏蔽层,藉以形成图案化的第一屏蔽层;在该图案化的第一屏蔽层的上方形成第二屏蔽层;在该第二屏蔽层中定义该电路设计布局的多个粗略特征,其中至少一粗略特征是为连接两个微细线路特征而形成;图案化该第二屏蔽层;以及利用由该图案化的第一屏蔽层与该图案化的第二屏蔽层所形成的复合屏蔽来图案化该集成电路层。
地址 美国加利福尼亚州