超低介电常数薄膜铜互连的制作方法

摘要

发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，该种制作方法在超低介电常数薄膜上覆盖低介电常数保护膜，而后采用光刻、刻蚀，形成贯通低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜的通孔和/或沟槽，在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层，采用电镀工艺进行铜填充淀积，形成铜的互连层。由于采用低介电常数保护膜，从而减少了多孔的超低介电常数薄膜在化学机械研磨中产生的缺陷，增强了低介电常数保护膜与下一步铜互连的刻蚀停止层的粘贴力，避免了在后续封装中的诱导应力引起热机械失效，同时改善了可靠性。

主权项

1.一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，包括以下步骤：在硅片上沉积刻蚀停止层，在刻蚀停止层上沉积超低介电常数薄膜和低介电常数保护膜，所述超低介电常数薄膜采用有机聚合物旋涂工艺或采用基于SiO₂材料的CVD工艺形成，所述超低介电常数薄膜的介电常数为2.2-2.8，所述低介电常数保护膜的介电常数为2.9-3.1；采用光刻、刻蚀工艺，形成贯通低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜的通孔和/或沟槽；在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层，采用电镀工艺进行铜填充淀积，化学机械研磨停止在低介电常数保护膜上，经研磨步骤后保留的低介电常数保护膜的厚度为，形成铜的互连层。