半导体装置的制造方法

摘要

种半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于抑制在通过贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底制造SOI衬底时产生的条纹状的图案(不均匀)。本发明的要旨在于，对单晶半导体衬底照射离子来在单晶半导体衬底形成脆化区；在形成在单晶半导体衬底的绝缘层表面的对应于单晶半导体衬底的边缘部的区域形成凹部或凸部；贴合单晶半导体衬底和支撑衬底；通过进行热处理，在脆化区分离单晶半导体衬底来在支撑衬底上形成单晶半导体层；去除对应于边缘部的区域的单晶半导体层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：通过对单晶半导体衬底照射加速了的离子来在所述单晶半导体衬底中形成脆化区；在所述单晶半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层在所述单晶半导体衬底的周边区上具有凹部，或者在所述单晶半导体衬底的周边区上具有凸部；隔着所述绝缘层将所述单晶半导体衬底贴合到支撑衬底；通过进行热处理在所述脆化区分离所述单晶半导体衬底，来在所述支撑衬底上形成单晶半导体层；以及去除所述单晶半导体层的至少一个区域，所述单晶半导体层的所述区域在所述凹部或所述凸部的外部。