| 发明名称 | 用于相变存储器的Sb<sub>2</sub>Te<sub>y</sub>-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合相变材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法，该材料是一种含有锑、碲、氮、硅四种元素的混合物，具有可逆相变能力的Sb2Tey（1<y<3）相变材料被非晶态Si3N4隔离成纳米尺度的区域，形成复合结构，其化学式为（Sb2Tey）x（Si3N4）100-x，其中1<y<3，60＜x＜100。通过调节Sb2Tey-Si3N4复合相变材料中Si3N4的含量可以得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能。（Sb2Tey）x（Si3N4）100-x与传统的Sb2Te3材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力以及较低的熔点，并且结晶后的晶粒度小，耗能低。 | ||
| 申请公布号 | CN102569644B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201010590406.1 | 申请日期 | 2010.12.15 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 宋志棠;许建安;饶峰;吴良才;刘波 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器中存储介质的Sb2Tey‑Si3N4复合相变材料，其特征在于：是一种由Sb2Tey和Si3N4复合而成的混合物，其化学式为（Sb2Tey）x（Si3N4）100‑x，其中1<y<3，60＜x＜100。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||