薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。

主权项

一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管包括：呈矩阵状设置的多个像素电极；按所述各像素电极分别设置且与该各像素电极连接的多个薄膜晶体管；和按所述各像素电极分别设置的多个辅助电容，所述各薄膜晶体管包括：设置于基板的栅极电极；以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上以与所述栅极电极重叠的方式设置有沟道区域的、包括氧化物半导体的半导体层；和在该半导体层上以隔着所述沟道区域相互分离的方式设置的源极电极和漏极电极，所述各辅助电容包括：在与所述栅极电极相同的层利用与所述栅极电极相同的材料设置的电容线；以覆盖该电容线的方式设置的所述栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上以与所述电容线重叠的方式使用所述氧化物半导体设置的电容中间层；和设置于该电容中间层上的电容电极，所述薄膜晶体管基板的制造方法包括：第一工序，在基板形成所述栅极电极和电容线；第二工序，以覆盖所述栅极电极和电容线的方式依次形成所述栅极绝缘膜、氧化物半导体膜和源极金属膜，之后，在该源极金属膜上形成抗蚀剂图案，在所述抗蚀剂图案中，成为所述源极电极和漏极电极的部分相对厚，且成为所述沟道区域和电容中间层的部分相对薄，接着，对从该抗蚀剂图案露出的所述源极金属膜和氧化物半导体膜进行蚀刻，之后，对通过使该抗蚀剂图案变薄而除去所述相对薄的部分从而露出的所述源极金属膜进行蚀刻，形成所述半导体层、源极电极和漏极电极以及成为所述电容中间层的其它半导体层；第三工序，以与所述半导体层的沟道区域重叠并且使所述漏极电极的一部分和所述其它半导体层露出的方式形成层间绝缘膜，之后，通过真空退火处理将从该层间绝缘膜露出的所述其它半导体层导体 化，形成所述电容中间层；和第四工序，在所述层间绝缘膜上，形成作为所述电容电极发挥作用的所述各像素电极。