功率模块

摘要

发明涉及功率模块。功率模块（1）具备：IGBT（2）；MOSFET（3），与IGBT（2）并联连接；引线框（10），具有搭载有IGBT（2）的第一框部（11）和搭载有MOSFET（3）的第二框部（12），并且形成有第一框部（11）位于第一高度、第二框部（12）位于比第一高度高的第二高度的阶梯差（13）；以及散热体的绝缘片（30），在引线框（10）中仅配置于第一框部（11）的背面。从而能够调整IGBT与MOSFET的损耗负担并提高成本效率。

主权项

一种功率模块，其中包括：IGBT；MOSFET，与所述IGBT并联连接；引线框，具有搭载有所述IGBT的第一框部和搭载有所述MOSFET的第二框部，并且形成有所述第一框部位于第一高度、所述第二框部位于比所述第一高度高的第二高度的阶梯差；以及散热体的绝缘片，在所述引线框中仅配置于所述第一框部背面。