发光二极管与成长基板分离的方法

摘要

种发光二极管与成长基板分离的方法，首先提供一成长基板，该成长基板具有一连接面及一远离该连接面的底面；接着于该连接面上形成多个孔洞；再于该连接面上成长一发光二极管结构，并于该发光二极管结构形成一与该连接面连接的连接部；而后研磨该底面，使该底面内缩与该孔洞连通；最后将一蚀刻液由该孔洞导入该连接部以进行蚀刻，分离该发光二极管结构及该成长基板。据此，本发明利用该孔洞的形成，以研磨及蚀刻的方式分离该发光二极管结构及该成长基板，而具有高工艺良率及降低制造成本的优点。

主权项

一种发光二极管与成长基板分离的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤S1：提供一成长基板，该成长基板具有一连接面及一远离该连接面的底面；步骤S2：于该连接面上形成多个孔洞；步骤S3：于该连接面上成长一发光二极管结构，并于该发光二极管结构形成一与该连接面连接的连接部；步骤S4：研磨该底面，使该底面内缩与该孔洞连通；以及步骤S5：将一蚀刻液由该孔洞导入该连接部以进行蚀刻，分离该发光二极管结构及该成长基板。