浮栅电可擦除型只读存储器及制造方法

摘要

发明公开了一种浮栅电可擦除型只读存储器，源漏区为埋层结构，形成于隧穿氧化层之前，在采用热氧化工艺形成隧穿氧化层时，能使得位于源漏区上方的热氧化层的厚度大于位于沟道区上方的热氧化层的厚度，从而能够降低源漏区和浮栅的耦合电容，能够提高存储器的耦合系数，降低器件的操作电压。本发明存储器的同一列的源漏区的掺杂区都能分别连接在一起并通过一个接触孔引出并形成该列的源线端和位线端，本发明不需要在每一个源漏区都形成一个接触孔引出，故能够大大缩小存储单元的面积，也能大大降低器件的成本，适合于制造更低成本的浮栅电可擦除型只读存储器。本发明公开了一种浮栅电可擦除型只读存储器的制造方法。

主权项

一种浮栅电可擦除型只读存储器，其特征在于，形成于硅衬底上，有源区由场氧隔离，在所述有源区中形成有第一导电类型阱，浮栅电可擦除型只读存储器的单元结构包括：源区，由形成于所述第一导电类型阱中的第二导电类型离子注入区组成；漏区，由形成于所述第一导电类型阱中的第二导电类型离子注入区组成；所述源区和所述漏区相隔一段距离且互相平行，所述源区和所述漏区之间的所述第一导电类型阱组成沟道区，所述源区和所述漏区的掺杂浓度大于所述沟道区的掺杂浓度；热氧化层，通过热氧化工艺形成于所述有源区上方，由于所述源区和所述漏区的掺杂浓度大于所述沟道区的掺杂浓度，在所述源区和所述漏区上的所述热氧化层的厚度大于所述沟道区上的所述热氧化层的厚度；由所述沟道区上的所述热氧化层形成所述浮栅电可擦除型只读存储器的隧穿氧化层；在所述热氧化层上形成有浮栅，所述浮栅覆盖所述沟道区、所述浮栅的两侧边界分别和所述源区和所述漏区对齐；在所述浮栅的顶部和侧壁表面由下往上依次形成有第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，由所述第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层组成ONO层；控制栅，形成于所述浮栅上方并通过所述ONO层和所述浮栅相隔离，所述控制栅还延伸到所述浮栅外侧的有源区上方。