发明名称 |
有机半导体材料及薄膜晶体管 |
摘要 |
种有机半导体材料,其包括如式(1)所示之化学式:式(1),其中r及s分别独立地为1至20的正整数,n为2至10000的正整数,X1、X2及X3分别独立地表示O、S、Se、Te、NR、RCR、RSiR、RGeR或RSnR,Y1及Y2分别独立地表示H、F、Cl、CF3、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR,以及Z1、Z2、Z3及Z4分别独立地表示H、F、Cl、CF3、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR,其中R表示烷基。 |
申请公布号 |
CN103627147A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310533763.8 |
申请日期 |
2013.11.01 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
许千树;吴忠宪;郑竣丰;王建隆;刘景洋;刘耀闵 |
分类号 |
C08L65/00(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;C07D417/14(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I |
主分类号 |
C08L65/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
贾静环 |
主权项 |
1.一种有机半导体材料,其包括如式(1)所示之化学式:<img file="FDA0000406756310000011.GIF" wi="1356" he="338" />式(1),其中r及s分别独立地为1至20的正整数,n为2至10000的正整数,X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>及X<sub>3</sub>分别独立地表示O、S、Se、Te、NR、RCR、RSiR、RGeR或RSnR,Y<sub>1</sub>及Y<sub>2</sub>分别独立地表示H、F、Cl、CF<sub>3</sub>、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR,以及Z<sub>1</sub>、Z<sub>2</sub>、Z<sub>3</sub>及Z<sub>4</sub>分别独立地表示H、F、Cl、CF<sub>3</sub>、卤烷基、CN、R、OR、SR、COOR或COR,其中R表示烷基。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |