| 发明名称 | 半导体化合物 | ||
| 摘要 | 发明包含一种半导体聚合物，其在1000Hz下的电容率大于3.4且在纯态下的电荷迁移率大于10-7cm2V-1s-1且更优选地大于10-6cm2V-1s-1。优选的聚合物包括具有特定氰基和/或烷氧基取代的三芳基胺的重复单元。它们适用于诸如有机薄膜晶体管的电子元件中。 | ||
| 申请公布号 | CN103636020A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201280024702.2 | 申请日期 | 2012.05.24 |
| 申请人 | 普罗赛斯创新中心有限公司;皮克达尔分子有限公司 | 发明人 | 贝弗莉·安妮·布朗;西蒙·多米尼克·奥吉尔;马可·帕伦博;克里·劳拉·梅可;雷蒙德·费希尔;迈克尔·詹姆斯·西姆斯;尼尔·大卫·佛利斯特;亚伦·詹姆斯·佩吉;斯图尔特·埃德蒙·威利茨;朱莉·戴安·埃利斯·琼斯 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 高瑜;郑霞 |
| 主权项 | 一种半导体聚合物，由式(I)表示，其在1000Hz下的电容率大于3.4且在纯态下的电荷迁移率大于10‑7cm2V‑1s‑1且更优选地大于10‑6cm2V‑1s‑1。 | ||
| 地址 | 英国蒂赛德 | ||