| 发明名称 | 相变存储器的形成方法 | ||
| 摘要 | 种相变存储器的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有介质层，在所述介质层中形成栓塞结构，所述栓塞结构包括第一栓塞和第二栓塞，所述第一栓塞与所述介质层的表面齐平，所述第二栓塞被所述介质层覆盖；在所述介质层和第一栓塞的表面形成阻挡层；在所述第二栓塞的上方刻蚀形成第一开口，所述第一开口的底部露出所述第二栓塞；在所述第一开口中填满相变材料并平坦化，形成相变材料层，所述相变材料层的表面与所述阻挡层的表面齐平。本发明能避免相变材料和介质层的损失，提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102487120B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201010573140.X | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 蒋莉;黎铭琦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种相变存储器的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有介质层，在所述介质层中形成栓塞结构，所述栓塞结构包括第一栓塞和第二栓塞，所述第一栓塞与所述介质层的表面齐平，所述第二栓塞被所述介质层覆盖，其特征在于，还包括：在所述介质层和第一栓塞的表面形成阻挡层；在所述第二栓塞的上方刻蚀形成第一开口，所述第一开口的底部露出所述第二栓塞；在所述第一开口中填满相变材料并平坦化，形成相变材料层，所述相变材料层的表面与所述阻挡层的表面齐平。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||