发明名称 一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法
摘要 发明涉及太阳能电池生产领域,具体的说是一种利用专用的非晶硅薄膜沉积设备在太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法,该方法是采用隧道式结构形式的非晶硅薄膜沉积设备通过以下步骤实现的,首先电池在挂有电池挂片箱的传送导轨的带动下一次两片经进片台进入设备中,经缓冲仓室依次进入加热仓室中,分别经过温度由低至高的三次加热,加热温度为60℃、120℃、180℃,三次加热后进入到P层沉积仓室中沉积P层,进入I层沉积仓室,经过六次分别沉积形成I层,进入N层沉积仓室中两次沉积形成N层;最后经缓冲室、出片台出设备,进入下一工序设备中;在设备运行过程中真空系统通过连接到各个仓室的真空管道控制各个仓室的真空值,阀门将各个仓室隔开使各个仓室形成相对独立的空间,从而达到沉积非晶硅薄膜的目的。
申请公布号 CN102104088B 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN200910218150.9 申请日期 2009.12.17
申请人 吉林庆达新能源电力股份有限公司 发明人 杨继泽;刘万学;张兵;于敬;孙学义;徐柏章;曲爽;王阳
分类号 H01L31/20(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I 主分类号 H01L31/20(2006.01)I
代理机构 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 代理人 石岱
主权项 一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法,其特征在于:该方法是采用隧道式的结构形式的非晶硅薄膜沉积设备通过以下步骤实现的,所述的非晶硅薄膜沉积设备包括进片台、出片台,缓冲仓室,三个加热仓室,P层沉积仓室、六个I层沉积仓室、两个N层沉积仓室,真空系统、真空管路、阀门,所述的缓冲仓室,三个加热仓室,P层沉积仓室、六个I层沉积仓室、两个N层沉积仓室构成非晶硅薄膜沉积设备主体,进片台和出片台设置在非晶硅薄膜沉积设备主体的两端,所述的真空系统设置在非晶硅薄膜沉积设备主体的下面,它通过其上设置的多个真空管路与非晶硅薄膜沉积设备主体上的各个仓室连通,所述的缓冲仓室,三个加热仓室,P层沉积仓室(8)、六个I层沉积仓室、两个N层沉积仓室各个仓室之间通过阀门被间隔成相对独立的空间;该沉积方法的具体步骤是:电池在挂有电池挂片箱的传送导轨的带动下一次两片经进片台进入设备中,经缓冲仓室依次进入三个加热仓室中,分别经过温度由低至高的三次加热,加热温度为60℃、120℃、180℃,三次加热后进入到P层沉积仓室中沉积P层,依次进入六个I层沉积仓室,经过六次分别沉积形成I层,依次进入两个N层沉积仓室中两次沉积形成N层;最后经缓冲室、出片台出设备,进入下一工序设备中;在设备运行过程中真空系统通过连接到各个仓室的真空管道控制各个仓室的真空值,阀门将各个仓室隔开使各个仓室形成相对独立的空间,从而达到沉积非晶硅薄膜的目的。
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