碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法，其目的在于提供一种能够以一次掩模工序形成杂质浓度不同的多个杂质区域的碳化硅半导体装置的制造方法。该制造方法具备：(a)在碳化硅半导体层上形成由多个单位掩模构成的注入掩模的工序；(b)使用注入掩模以预定的注入能量将预定的离子注入到碳化硅半导体层的工序。在工序(a)中，以如下方式形成注入掩模，即，将从单位掩模内的任意的点到单位掩模的端部的距离，设为以预定的注入能量将预定的离子注入到碳化硅时的散射长度以下，并且注入掩模具有单位掩模的尺寸和配置间隔不同的多个区域。由此在几乎不发生热扩散的碳化硅半导体层中，能够以一次掩模工序和离子注入工序形成杂质浓度不同的多个区域。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其中，具备：(a)在碳化硅半导体层上形成由多个单位掩模构成的注入掩模的工序；以及(b)使用所述注入掩模以预定的注入能量将预定的离子注入到所述碳化硅半导体层的工序，在所述工序(a)中，以如下方式形成所述注入掩模，即，将从所述单位掩模内的任意的点到所述单位掩模的端部的最短距离，设为以所述预定的注入能量将所述预定的离子注入到碳化硅时的散射长度以下，并且所述注入掩模具有所述单位掩模的尺寸和配置间隔不同的多个区域。