发明名称 |
一种化学气相沉积SiNx介电膜的装置 |
摘要 |
发明公开了一种化学气相沉积SiNx介电膜的装置,其特征在于:包括有反应室,在所述反应室内设有基片安装座,所述的基片安装座垂直于反应室长度方向设置,在所述的反应室上连接有等离子体激发室,所述的等离子体激发室开口正对所述基片安装座,在所述等离子体激发室上连接有等离子管,在所述等离子管上连接有波导管,在所述的波导管上设有磁体,在所述的等离子管上连接有第一反应气体进气管,在所述的基片安装座内设有基片加热器,所述的反应室与抽真空装置相连接,在所述的反应室上连接有第二反应气体进气管。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种结构简单,生产成本低,化学气相沉积SiNx介电膜的装置。 |
申请公布号 |
CN103628047A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310549290.0 |
申请日期 |
2013.11.07 |
申请人 |
中山市创科科研技术服务有限公司 |
发明人 |
陈路玉 |
分类号 |
C23C16/511(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/511(2006.01)I |
代理机构 |
中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 |
代理人 |
吴剑锋 |
主权项 |
一种化学气相沉积SiNx介电膜的装置,其特征在于:包括有反应室(1),在所述反应室(1)内设有基片安装座(15),所述的基片安装座(15)垂直于反应室(1)长度方向设置,在所述的反应室(1)上连接有等离子体激发室(2),所述的等离子体激发室(2)开口正对所述基片安装座(15),在所述等离子体激发室(2)上连接有等离子管(3),在所述等离子管(3)上连接有波导管(4),在所述的波导管(4)上设有磁体(5),在所述的等离子管(3)上连接有第一反应气体进气管(6),在所述的基片安装座(15)内设有基片加热器(7),所述的反应室(1)与抽真空装置相连接,在所述的反应室(1)上连接有第二反应气体进气管(8)。 |
地址 |
528400 广东省中山市火炬开发区创业大厦229号 |