| 发明名称 | 恒流二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 发明提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区表面和第四掺杂区表面的第二正电极；形成于所述衬底背面的负电极；其中，所述第三掺杂区和第四掺杂区之间具有若干在第一方向上并排排列的所述第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区接触。本发明还提供一种恒流二极管的制造方法。在本发明提供的恒流二极管及其制造方法中，形成了侧栅加下栅JFET结构的恒流二极管，其恒定电流值主要取决于第二掺杂区的间距，恒流性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103633149A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201310671492.2 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 王英杰;徐敏杰;崔建;丁伯继 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种恒流二极管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区表面和第四掺杂区表面的第二正电极；形成于所述衬底背面的负电极；其中，所述第三掺杂区和第四掺杂区之间具有若干在第一方向上并排排列的所述第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区接触，所述第二掺杂区的表面通过所述第二正电极与所述第四掺杂区的表面导通；所述第一掺杂区和第二掺杂区均为第一导电型，所述第三掺杂区和第四掺杂区均为第二导电型，所述第一导电型与所述第二导电型的导电类型相反。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号 | ||