| 发明名称 | 包含含有脂环式骨架的咔唑树脂的形成抗蚀剂下层膜的组合物 | ||
| 摘要 | 发明的课题是提供n值高，k值低，在与含有硅的中间层组合使用的3层工艺中可以有效地降低波长193nm的光从基板反射的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法是一种在光刻工序中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述单元结构，所述单元结构包含稠杂环化合物与二环化合物的反应物。稠杂环化合物为咔唑或取代咔唑。二环化合物为二聚环戊二烯、取代二聚环戊二烯、四环［4.4.0.12,5.17,10］十二碳－3,8－二烯、或取代四环［4.4.0.12,5.17,10］十二碳－3,8－二烯。 | ||
| 申请公布号 | CN103635858A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201280033067.4 | 申请日期 | 2012.07.05 |
| 申请人 | 日产化学工业株式会社 | 发明人 | 新城彻也;染谷安信;桥本圭祐;柄泽凉 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01)I;C08G61/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述单元结构，所述单元结构包含稠杂环化合物与二环化合物的反应物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||