| 发明名称 | 由冶金级硅或精炼冶金级硅制造基于硅的纳米颗粒的方法 | ||
| 摘要 | 发明涉及通过基材(7)的电化学蚀刻来制造基于硅的纳米颗粒的方法，特征在于所述基材由冶金级硅或精炼冶金级硅制成，所述基材具有大于0.01%的杂质含量。 | ||
| 申请公布号 | CN103635612A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201280022365.3 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 国立里昂应用科学学院;国家科学研究中心;阿波朗.索拉尔公司 | 发明人 | V.莱森科;J.克莱姆;M.梅德加奥伊 |
| 分类号 | C25F3/12(2006.01)I;H01L33/34(2006.01)I;B23H3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2006.01)I;B82Y40/00(2006.01)I | 主分类号 | C25F3/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 基于硅的纳米粉末的制造方法，特征在于其包括对包含大于10重量ppm杂质含量的冶金级或高纯冶金级Si的基材(7)进行电化学蚀刻。 | ||
| 地址 | 法国维勒班 | ||