| 发明名称 | 两步式浅沟槽隔离（STI）工艺 | ||
| 摘要 | 种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN103633140A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210540747.7 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 洪敏皓;周友华;李志聪;张简旭珂;廖茂成;葛翔翔;黄振铭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：衬底，具有形成在所述衬底中的沟槽；第一隔离材料层，占据所述沟槽；第二隔离材料层，形成在所述第一隔离材料层上方；外延生长硅层，位于所述衬底上并且水平地与所述第二隔离材料层相邻；以及栅极结构，形成在所述外延生长硅上，所述栅极结构限定沟道。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||