| 发明名称 | 用于熔融半导体材料的容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 发明涉及构造成装纳熔融半导体材料的容器。所述容器包括高纯度熔凝二氧化硅内衬和靠近内衬外表面的熔凝二氧化硅背衬，所述高纯度熔凝二氧化硅内衬具有限定了内部空间的基底和侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN103635614A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201280020156.5 | 申请日期 | 2012.03.27 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | G·B·库克;K·E·贺迪纳;C·S·托马斯;J·F·小怀特 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 项丹 |
| 主权项 | 一种构造成装纳熔融半导体材料的容器，所述容器包括：包含第一熔凝二氧化硅的内衬，所述内衬具有限定了内部空间的基底和侧壁；以及包含第二熔凝二氧化硅的背衬，该背衬靠近所述内衬的外表面，其中所述内衬的总杂质含量小于或等于100ppbw，并且所述第一熔凝二氧化硅的孔隙率小于所述第二熔凝二氧化硅的孔隙率。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||