自对准双重图形的形成方法

摘要

种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层表面形成可溶于显影液的底部抗反射层和光刻胶层；对底部抗反射层和光刻胶层同步进行曝光显影，形成图形化的牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层；在所述待刻蚀材料层表面，牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面，牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，形成第一掩膜图形；去除所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层。由于所述经曝光的底部抗反射层和光刻胶层同步溶于显影液，不需要利用牺牲光刻胶层为掩膜对所述底部抗反射层进行刻蚀，节省了一步刻蚀工艺，且所述第一掩膜图形的侧壁形貌较佳，使得最终形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。

主权项

一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层表面形成可溶于显影液的底部抗反射层，在所述底部抗反射层表面形成光刻胶层；对所述底部抗反射层和光刻胶层同步进行曝光显影，在所述待刻蚀材料层表面形成图形化的牺牲底部抗反射层和位于牺牲底部抗反射层表面的牺牲光刻胶层；在所述待刻蚀材料层表面，牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面，牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，直到暴露出所述待刻蚀材料层表面，位于所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面的第一掩膜材料层形成第一掩膜图形；去除所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层。