| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 发明提供半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:在其中形成有沟槽的半导体衬底;置于沟槽下侧内部的底电极，底电极具有不平坦的上表面;在底电极上部和沟槽侧壁上形成的绝缘层;和置于沟槽内侧底电极上部的顶电极，所述顶电极是不平坦的顶电极，其中所述顶电极构造为使得顶电极朝部倾斜。 | ||
| 申请公布号 | CN103633144A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201310367330.X | 申请日期 | 2013.08.21 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 申铉光 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括:半导体衬底，其包括形成于其中的沟槽;在所述沟槽内侧形成的底电极;在所述沟槽内侧和所述底电极上方形成的顶电极;和使所述顶电极隔离于所述底电极的绝缘层，所述顶电极具有不平坦下表面。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||