发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
发明涉及发光器件。根据实施方案的发光器件包括:发光结构,其包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层;电连接至第一导电半导体层的第一电极;电连接至第二导电半导体层的第二电极;围绕发光结构的下部的沟道层;电连接至第二电极并且设置在第二电极下方的第一导电支承构件;与第一导电支承构件电绝缘并且设置在第二电极下方的第二导电支承构件;以及电连接至第一电极和第二导电支承构件的第一连接部。 |
申请公布号 |
CN103633221A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310367059.X |
申请日期 |
2013.08.21 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
丁焕熙 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;董文国 |
主权项 |
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的有源层以及在所述有源层下方的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极电连接至所述第一导电半导体层;第二电极,所述第二电极电连接至所述第二导电半导体层;沟道层,所述沟道层围绕所述发光结构的下部;第一导电支承构件,所述第一导电支承构件电连接至所述第二电极并且设置在所述第二电极下方;第二导电支承构件,所述第二导电支承构件电绝缘于所述第一导电支承构件并且设置在所述第二电极下方;和第一连接部,所述第一连接部电连接至所述第一电极和所述第二导电支承构件。 |
地址 |
韩国首尔 |