基于TSV立体集成工艺的环形对准标记

摘要

发明提供了一种基于TSV立体集成工艺的环形对准标记，与硅晶圆表面开有TSV通孔的平面上开有环形盲孔，所述环形盲孔的外边和内边均为形结构且两个形结构同轴，环形盲孔的宽度小于TSV通孔直径W4；所述环形盲孔由外向内依次包括二氧化硅绝缘层、氮化钽阻挡层和铜种子层，内部填充铜。本发明不需要额外引入其他工艺流程，具有成本低、高效等优点，而且其图形占用面积小，尺寸小于TSV通孔直径，解决了因“Loading”效应导致TSV通孔背面减薄无法露铜的工艺缺陷，增加了TSV立体集成器件可靠性。

主权项

一种基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记，其特征在于：与硅晶圆表面开有TSV通孔的平面上开有环形盲孔，所述环形盲孔的外边和内边均为十字形结构且两个十字形结构同轴，外边所在十字形结构一端的端面宽度为L1，长度为W1，内边所在十字形结构一端的端面宽度为L2，长度为W2，L1＞L2，W1=W2，环形盲孔的宽度W3=（L1‑L2）/2且W3小于TSV通孔直径W4；所述环形盲孔由外向内依次包括二氧化硅绝缘层、氮化钽阻挡层和铜种子层，内部填充铜。