鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一绝缘层和贯穿第一绝缘层厚度的鳍部，且鳍部顶部高于第一绝缘层表面；形成包括关键原子的牺牲层，所述牺牲层位于鳍部顶部和侧壁，根据形成的鳍式场效应晶体管的类型，所选牺牲层的晶格常数大于或小于鳍部内硅的晶格常数；对牺牲层进行处理，使牺牲层中的关键原子进入鳍部；牺牲层中的关键原子进入鳍部后，去除经处理后的牺牲层。本发明实施例形成的鳍式场效应晶体管的沟道区的载流子迁移率高，性能稳定。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一绝缘层和贯穿所述第一绝缘层厚度的鳍部，且所述鳍部顶部高于第一绝缘层表面；形成包括关键原子的牺牲层，所述牺牲层位于所述鳍部顶部和侧壁，当形成p型鳍式场效应晶体管时，所选牺牲层的晶格常数大于鳍部的晶格常数，当形成n型鳍式场效应晶体管时，所选牺牲层的晶格常数小于鳍部的晶格常数；对所述牺牲层进行处理，使所述牺牲层中的关键原子进入鳍部；所述牺牲层中的关键原子进入鳍部后，去除经处理后的牺牲层；在去除经处理后的牺牲层后，形成横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构，且所述栅极结构的位置与所述牺牲层的位置相对应。