| 发明名称 | 栅电极的形成方法 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种栅电极的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上覆盖有栅电极材料层；在所述衬底上形成相互平行的连续的栅条；环绕所述相互平行的连续的栅条形成侧墙；在第一预定区域电隔离所述相互平行的连续的栅条，形成隔离的栅电极。根据本发明实施例，有源区硅之间的最小距离进一步减小，集成度进一步增加，相对于传统的线条-刻线（line-and-cut）的双图案化技术，本发明提供的栅电极形成方法改善了栅电极端对端（tip to tip）间距。 | ||
| 申请公布号 | CN103632944A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210309498.0 | 申请日期 | 2012.08.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种栅电极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上覆盖有栅电极材料层；在所述衬底上形成相互平行的连续的栅条；环绕所述相互平行的连续的栅条形成侧墙；在第一预定区域电隔离所述相互平行的连续的栅条，形成隔离的栅电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||