基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构

摘要

发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱和一号欧姆接触测试点的铝金属压焊点；二号直流可变电压源串接二号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱与二号欧姆接触测试点的铝金属压焊点。本发明不仅可以实现完整的TSV通孔绝缘层测试，整体评估TSV通孔绝缘层质量，还可有效的判断出顶、底两部分TSV通孔绝缘层缺陷存在区域，方便筛除TSV通孔有缺陷的晶圆，增加SOI立体集成器件可靠性。

主权项

一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，包括欧姆接触测试点、金属探针、直流可变电压源和电流电压表，其特征在于：在底层硅背面和顶层硅正面各制作一个欧姆接触测试点，顶层硅正面为一号欧姆接触测试点，底层硅背面为二号欧姆接触测试点；每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，当硅衬底为P型衬底时重掺杂有源区为P+型，当硅衬底为N型衬底时重掺杂有源区为N‑型，铝金属压焊点为方形；一号欧姆接触测试点的铝金属压焊点中心与TSV通孔中心的距离L≥D，D为受耐压测试TSV通孔的直径；测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱和一号欧姆接触测试点的铝金属压焊点；二号直流可变电压源串接二号电流电压表后通过金属探针串接TSV铜柱与二号欧姆接触测试点的铝金属压焊点。