| 发明名称 | 一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 发明提供了一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法，包括以下步骤：在保护气体氛围下，将荧光粉和半导体混合后研磨，得到混合物，在保护气体或真空氛围下，将上述步骤得到的混合物在脉冲电流和压力的作用下，进行烧结得到半导体/荧光粉异质结构；所述荧光粉的摩尔数占荧光粉和半导体总摩尔数的百分比为10%～40%。本发明采用放电等离子体热压烧结方法制备半导体/荧光粉异质结构，本发明制备的半导体/荧光粉异质结构，利用半导体的能带特征，实现了稀土离子宽带激发的光转换。 | ||
| 申请公布号 | CN103627399A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201310682779.5 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明人 | 孟健;武晓杰 |
| 分类号 | C09K11/88(2006.01)I;C09K11/78(2006.01)I;C09K11/84(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵 |
| 主权项 | 一种半导体/荧光粉异质结构的制备方法，包括以下步骤：A）在保护气体氛围下，将荧光粉和半导体混合后研磨，得到混合物；B）在保护气体或真空氛围下，将上述步骤A）得到的混合物在脉冲电流和压力的作用下，进行烧结得到半导体/荧光粉异质结构；所述荧光粉的摩尔数占荧光粉和半导体总摩尔数的百分比为10%～40%。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市人民大街5625号 | ||