| 发明名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a）提供基层；b）刻蚀所述基层形成有底的开口（201）；c）形成填充所述开口（201）的金属塞（202）；d）在所述基层上形成与所述金属塞（202）的上平面相接触的石墨烯层（300）。相应地，本发明还提供根据上述制造方法形成的半导体结构。上述方法和结构通过将石墨烯结晶形成在预定区域中，增加了石墨烯结晶的颗粒尺寸，并结合最优化沉积石墨烯的步骤，有助于提升石墨烯材质的均匀度，因此提升了石墨烯材质在半导体结构中的工作性能以及稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103632922A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210298158.2 | 申请日期 | 2012.08.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 梁擎擎;王冠中;朱慧珑;钟汇才;陈大鹏;叶甜春 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波;何平 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a）提供基层；b）刻蚀所述基层形成有底的开口（201）；c）形成填充所述开口（201）的金属塞（202）；d）在所述基层上形成与所述金属塞（202）的上平面相接触的石墨烯层（300）。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||