发明名称 发光装置及电子设备、发光装置的制造方法
摘要 发明涉及发光装置及电子设备、发光装置的制造方法,以便得到兼具高导电性和高透过性的阴极和具备该阴极的发光装置。该发光装置(D1)具备:基板、形成在基板(10)上的光反射层(14)、形成在光反射层(14)上的第1电极(16)、形成在第1电极(16)上的发光功能层(18)、形成在发光功能层(18)上的电子注入层(49)、和形成在电子注入层(49)上并具有半透过反射性的第2电极(20),第2电极(20)由Ag合金形成,其Ag的含有量为Ag比率在50原子%以上98原子%以下。
申请公布号 CN101661997B 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN200910163376.3 申请日期 2009.08.17
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 小林英和;白鸟幸也;吉冈敦
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 雒运朴;李伟
主权项 一种发光装置,其特征在于,具备:光反射层、配置在前述光反射层上或上方的具有透过性的第1电极、具有半透过反射性的第2电极、配置在前述第1电极和前述第2电极之间的发光功能层、配置在前述发光功能层和前述第2电极之间的电子注入层、形成在前述第2电极上的用于缓和向该第2电极的应力的第1层、和形成在前述第1层上的由无机材料形成的第2层,前述第2电极由将Mg、Cu、Zn、Pd、Nd、Al的任意一个与Ag以原子数比为1∶3~1∶50的范围的方式进行混合的合金形成。
地址 日本东京都