制造多个集成半导体构件的方法

摘要

用于在载体(2)上制造多个集成半导体构件(8)的方法中，将有源的基本结构(4)以连续的、至少越过要制造的半导体构件(8)的一部分边界(10)的方式加工到载体(2)中，将半导体构件(8)的区域在载体(2)上确定，在每个半导体构件(8)的区域中，借助于掩模(12)将覆盖层(14)施加到载体(2)上，以及在形成半导体构件(8)的情况下，将载体(2)在半导体构件(8)的边界(10)处进行切分。在所述方法中，在制造3D-缓冲器构件期间，能够以简单的方式来对该3D-缓冲器构件进行定标。

主权项

用于在载体（2）上制造多个集成半导体构件（8）的方法，在所述方法中，‑将平面式彼此相邻地布置的、孔结构或沟槽结构形式的相同的结构元件（18、20、22）作为有源的基本结构（4）以连续的方式无缝地且无中断地加工到整个所述载体（2）中，‑在所述载体（2）上确定所述半导体构件（8）的区域，‑在每个所述半导体构件（8）的区域中，借助于掩模（12）将结构化的覆盖层（14）施加到所述载体（2）上，其中，将金属化层作为覆盖层（14）进行施加，‑在形成所述半导体构件（8）的情况下，将所述载体（2）在所述半导体构件（8）的所述边界（10）处进行切分。