发明名称 | 发光器件 | ||
摘要 | 发明公开了发光器件。发光器件包括:发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层;第一电极,该第一电极电连接至第一导电半导体层;第二电极,该第二电极电连接至第二导电半导体层;在发光结构的下方部的外周部处的沟道层;在第二电极下方的导电支承构件;第一连接部,该第一连接部电连接至第一电极和导电支承构件;以及第二连接部,该第二连接部电连接至第二电极。 | ||
申请公布号 | CN103633233A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
申请号 | CN201310364631.7 | 申请日期 | 2013.08.20 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙;金昭廷;金贤珠 |
分类号 | H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/62(2010.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
主权项 | 一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括:第一导电半导体层;在所述第一导电半导体层下方的有源层;以及在所述有源层下方的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极电连接至所述第一导电半导体层;第二电极,所述第二电极电连接至所述第二导电半导体层;在所述发光结构的下部的外周部处的沟道层;在所述第二电极下方的导电支承构件;第一连接部,所述第一连接部电连接至所述第一电极和所述导电支承构件;以及第二连接部,所述第二连接部电连接至所述第二电极。 | ||
地址 | 韩国首尔 |