发明名称 一种包括形成薄膜电容器的方法
摘要 申请涉及用于薄膜电容器制作的溶胶-凝胶及掩模图案化,由此制作的薄膜电容器,以及含有薄膜电容器的系统,提供了一种形成薄膜电容器的工艺,包括:在第一电极上对介电薄膜的溶胶-凝胶图案化,剥离去除不需要的介电薄膜,以及给介电薄膜配上第二电极。薄膜电容器沿着其特征尺寸定义的线呈现出基本上均匀的热变形态。还公开了包括该薄膜电容器的计算系统。
申请公布号 CN103632843A 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201310342049.0 申请日期 2007.03.31
申请人 英特尔公司 发明人 H·佘;Y·闵;C·A·帕拉杜斯
分类号 H01G4/33(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I 主分类号 H01G4/33(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王洪斌
主权项 一种包括形成薄膜电容器的方法,包括:在第一电极上图案化掩模;在所述第一电极和所述掩模上形成绿色介电膜,绿色介电膜的厚度在0.5微米至30微米的范围内;剥离所述掩模以获得正图案绿色介电膜;以及在剥离所述掩膜后,烧结所述正图案绿色介电膜以获得已烧结的电介质。
地址 美国加利福尼亚州