发明名称 |
一种包括形成薄膜电容器的方法 |
摘要 |
申请涉及用于薄膜电容器制作的溶胶-凝胶及掩模图案化,由此制作的薄膜电容器,以及含有薄膜电容器的系统,提供了一种形成薄膜电容器的工艺,包括:在第一电极上对介电薄膜的溶胶-凝胶图案化,剥离去除不需要的介电薄膜,以及给介电薄膜配上第二电极。薄膜电容器沿着其特征尺寸定义的线呈现出基本上均匀的热变形态。还公开了包括该薄膜电容器的计算系统。 |
申请公布号 |
CN103632843A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310342049.0 |
申请日期 |
2007.03.31 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
H·佘;Y·闵;C·A·帕拉杜斯 |
分类号 |
H01G4/33(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/33(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王洪斌 |
主权项 |
一种包括形成薄膜电容器的方法,包括:在第一电极上图案化掩模;在所述第一电极和所述掩模上形成绿色介电膜,绿色介电膜的厚度在0.5微米至30微米的范围内;剥离所述掩模以获得正图案绿色介电膜;以及在剥离所述掩膜后,烧结所述正图案绿色介电膜以获得已烧结的电介质。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |