| 发明名称 | 应变CMOS器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 发明提供的应变CMOS器件的制作方法，包括：提供CMOS器件；在所述CMOS器件表面依次形成第一应力层以及薄膜氧化层；图形化所述薄膜氧化层，曝露出第一应力层位于PMOS晶体管区域的部分；以所述薄膜氧化层为硬掩模刻蚀所述第一应力层；至少在所述薄膜氧化层的表面形成牺牲阻挡层；在上述形成的半导体结构表面形成第二应力层；以所述牺牲阻挡层为刻蚀停止层，刻蚀所述第二应力层位于NMOS晶体管区域的部分；去除所述牺牲阻挡层。本发明通过在薄膜氧化层的表面形成牺牲阻挡层，作为刻蚀停止层，以解决过刻蚀的问题；进一步的，所述牺牲阻挡层可以为无定形碳，具有沉积工艺简单，且便于去除的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102487017B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201010573256.3 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 黄敬勇;韩秋华;张翼英 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种应变CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供CMOS器件；在所述CMOS器件表面依次形成第一应力层以及薄膜氧化层；图形化所述薄膜氧化层，曝露出第一应力层位于PMOS晶体管区域的部分；以所述薄膜氧化层为硬掩模刻蚀所述第一应力层；至少在所述薄膜氧化层的表面形成牺牲阻挡层；在上述形成的半导体结构表面形成第二应力层；以所述牺牲阻挡层为刻蚀停止层进行等离子体刻蚀，去除所述第二应力层位于NMOS晶体管区域的部分，且所述牺牲阻挡层与第二应力层的选择刻蚀比大于10；去除所述牺牲阻挡层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||