双镶嵌结构及其形成方法

摘要

种双镶嵌结构及其形成方法，所述形成双镶嵌结构的方法，包括：提供基底，在基底上依次形成介质层和帽层；图形化介质层和帽层形成第一孔；形成抗反射层，填充第一孔且覆盖图形化的帽层表面；在抗反射层的表面形成图形化的硬掩膜层，定义出沟槽的图形；以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀抗反射层、图形化的帽层和图形化的介质层，形成相互连通的沟槽和通孔，通孔对应第一孔；其中，位于沟槽和基底之间的刻蚀后的介质层具有顶面、底面和斜面，底面位于基底上、顶面与底面相对，斜面位于顶面和底面之间；去除图形化的硬掩膜层、剩余的抗反射层；在通孔和沟槽内填充金属。本发明可以降低产生的电迁移和应力迁移的可能性。

主权项

一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上依次形成介质层和帽层；图形化所述介质层和帽层形成第一孔；形成抗反射层，填充所述第一孔且覆盖所述图形化的帽层表面；在所述抗反射层的表面形成图形化的硬掩膜层，定义出沟槽的图形；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述抗反射层、图形化的帽层和图形化的介质层，形成相互连通的沟槽和通孔，所述通孔对应所述第一孔；其中，位于所述沟槽和基底之间的刻蚀后的介质层具有顶面、底面和斜面，所述底面位于所述基底上、所述顶面与所述底面相对，所述斜面位于所述顶面和所述底面之间，所述斜面的顶部和所述顶面接触，所述斜面的底部与所述底面接触；去除图形化的硬掩膜层、剩余的抗反射层；在所述通孔和沟槽内填充金属。