快闪存储器的制作方法

摘要

发明提供一种快闪存储器的制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，包括一阵列区和一周边区；形成多个栅极于阵列区和周边区的衬底上；形成第一间隙壁于阵列区和周边区的栅极侧壁；形成一第一覆盖层于阵列区和周边区的衬底和上述栅极上方；图形化第一覆盖层，形成对准阵列区的上述栅极间区域的图形化第一覆盖层，以定义阵列区的源极和漏极的区域；形成一第二间隙壁于周边区的栅极侧壁；形成一第二覆盖层于上述栅极和图形化第一覆盖层上方；图形化第二覆盖层，于阵列区的图形化第一覆盖层上形成阵列区的源/漏极接触开口；及移除阵列区的源/漏极接触开口下的第一覆盖层。

主权项

一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供一衬底，包括一阵列区和一周边区； 形成多个栅极于所述阵列区和所述周边区的衬底上； 形成一第一间隙壁于所述阵列区和所述周边区的栅极侧壁； 形成一第一覆盖层于所述阵列区和所述周边区的衬底和所述栅极上方； 图形化所述第一覆盖层，形成对准所述阵列区的所述栅极间区域的图形化第一覆盖层，以定义所述阵列区的源极和漏极的区域； 形成一第二间隙壁于所述周边区的栅极侧壁，以定义所述周边区的源极和漏极的区域； 利用所述第二间隙壁进行一所述周边区的源/漏极注入工艺； 形成一第二覆盖层于所述栅极和所述图形化第一覆盖层上方； 图形化所述第二覆盖层，于所述阵列区的所述图形化第一覆盖层上形成一阵列区的源/漏极接触开口；及 移除所述阵列区的源/漏极接触开口下的第一覆盖层。